《炬丰科技-半导体工艺》硅片与氟蚀刻液界面金(2)-离子交换与吸附

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《炬丰科技-半导体工艺》硅片与氟蚀刻液界面金(2)

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总结

硅衬底表面的金属污染对半导体装置造成致命损伤。为了防止装置特性的低下，硅衬底上的金属电沉积农度必须降低到低下。目前，湿式工艺中的精密清洗是充分去除硅表面金属杂质所需的工艺。另外，超纯水中含有的金属杂质和化学物质不能污染基板表面醇。对于N型和P型表面，DHF-H2O2清洗在常温下去除与硅表面直接结合的金属杂质，效果良好。这种房间法不会带来可感知的交叉污染。

因此，DHF-H2O2清洗是N型和P型硅基板的最佳清洗方法。但是，n*-型和p*-型基板在DHF-H2O2用液中也容易受到铜交叉污染。n型基底上的n*-型表面和p*-型表面的表面微粗糙度在DHF-H2O2溶液内增加。在n*-型硅表面，DHF-H2O2溶液的IE的蚀刻率高于其他硅表面。DHF-H2O2清洗对从要求相当清洁的N型和P型硅表面去除金属杂质有效。但是，DHF-H2O2清洗不适合清洗具有n*-型和p*-型表面的基板。目前，要去除这些基板上的金属火纯品，需要NH/OH-H2O2-H:O清洗科HC1-H2O2-H2O被要求清洗。添加在BHF上以提高硅表面润湿性的碳氢型表面活性剂为N型。p型。对抑制高p*-型基板表面上的铜沉积有效。最终洗涤阶段适用的超纯水和DHF-在H2O2溶液内，可以通过交换硅和电电荷来浸泡的铜等金属，可以抑制在ppt单位以下。

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